ICP蚀刻利用高频电磁场在反应室内产生高密度等离子体，通过调整工艺参数（如ICP线圈功率、压板功率、工作压力等）来控制离子的能量和方向性，从而实现对碳化硅材料的高效蚀刻。与常规平行板反应离子蚀刻相比，ICP蚀刻具有更高的离子通量和更灵活的工艺参数调整 ...

在全球科技飞速发展的今天，半导体行业作为支撑现代电子技术的核心，其最新进展备受瞩目。近日，通威微电子有限公司成功获得一种碳化硅蚀刻装置的专利消息，标志着该公司在碳化硅Wafer制造领域的技术创新迈出了重要一步。根据国家知识产权局的信息，授权公告号CN222507554U，申请日期为2024年5月。此次专利的取得，不仅为通威微电子增强了市场竞争力，也为整个半导体行业的进步注入了一剂强心针。 碳化硅的 ...

近日，绥化市天晶光电显示有限公司获得了一项名为“一种液晶显示屏的蚀刻脱模机的水冷结构”的专利，这项专利的授权公告号为CN222506696U，申请日期为2024年5月。这标志着该公司在液晶显示领域的技术创新取得了重要进展，增强了其在市场中的竞争力。

半导体湿法蚀刻设备是半导体制造过程中不可或缺的重要设备之一。它利用化学溶液与半导体材料发生化学反应，从而精确 ...

为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。 通过调整化学成分，他们将蚀刻速度提高了一倍，并改善了精度，为实现更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。随着电子设备不断缩小，而处理的数据量却与日俱增，改进数字存储器的制造方法变得至关重要。 公私合作 ...

近日，吉安专精科技有限公司向国家知识产权局申请了名为“一种金属蚀刻加工用废液回收设备”的专利，旨在提高金属蚀刻加工领域的设备使用寿命，同时有效降低蚀刻废液对设备的侵蚀速度。这一技术的创新，不仅为企业的成本控制提供了新思路，也为环保事业贡献了一份力量。

其中的关键是在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，并将分层材料暴露在等离子体形式的化学物质中，让等离子体中的原子与分层材料中的原子相互作用，从而蚀刻出孔洞通道。

IT之家 2 月 21 日消息，半导体设备巨头泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间 19 日宣布正式推出全球首型钼（Mo）原子层沉积（IT之家注：即 ALD）设备 ALTUS Halo，该设备 已在逻辑半导体和 3D NAND ...

科学界传来新突破，一项由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）携手研发的新型蚀刻工艺近日曝光。这项创新技术运用氟化氢等离子体，成功将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，仅需短短一分钟，便能完成640纳米的蚀刻作业。

研究人员发现了一种更快、更高效的 3D NAND 闪存深孔蚀刻方法，即使用先进的等离子工艺。通过调整化学工艺，他们使蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础。 为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存 ...

近日，一项创新蚀刻工艺的问世，为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。 这项新工艺由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部 ...

IT之家 2 月 21 日消息，半导体设备巨头泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间 19 日宣布正式推出全球首型钼（Mo）原子层沉积（IT之家注：即 ALD）设备 ALTUS Halo，该设备已在逻辑半导体和 3D NAND ...