2025年上半年，晶越半导体已经成功量产8英寸碳化硅衬底，后续持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，成功攻克12英寸衬底。

7月21日，金沙江上游川藏交界处传来重大工程捷报——昌波水电站导流洞衬砌混凝土浇筑全面完成，较原计划提前三个月实现关键节点目标。这一突破为今年10月下旬大江截流扫除了主要障碍，标志着这座装机容量826兆瓦的国家级水电工程进入建设加速期。昌波水电站导流 ...

东吴证券研报指出，晶盛机电年产60万片8寸衬底拉晶基地奠基，碳化硅衬底加速放量。该项目总占地面积4万平方米，计划于今年正式动工，一期项目建成后8英寸碳化硅衬底预计可实现24万片/年的高效产能。此次开工的项目，是继浙江基地和马来西亚槟城30万片产能基地 ...

近日，广东省人民政府发布《广东省人民政府关于表彰第十届广东专利奖获奖单位及个人的通报》，国星光电凭借发明专利“一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法”荣获广东专利银奖。

近日，部分自媒体宣称“歼-20换装碳化硅雷达，探测距离达1000公里”，引发广泛讨论。经技术溯源与业内核实，该说法存在严重事实偏差，核心问题集中于两点：碳化硅的真实作用与探测距离的夸大解读。 误区一：碳化硅并非雷达T/R组件，仅为基底材料。 网传所谓 ...

【研报核心观点】 一、碳化硅性能优异， 衬底为最核心环节 ：碳化硅材料性能突破硅基极限， 相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。 碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始，经历 芯片的设计与制造， 再到模块的封装后，最终 ...

2） 在 SiC 衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正 在缩小（举例：天岳 6 英寸衬底与龙头量产时间差距已小于 4 ...

国际SiC大厂已经纷纷抱团取暖，国内企业也将奋力赶上。 SiC的产业链主要由单晶衬底、外延、器件、制造和封测等环节构成。而在这其中，SiC衬底是 ...

目前2 万片衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收，6英寸晶体良率达到 90%，外延片良率达到 95%，已得到国内多家下游器件客户的验证，并顺利 ...

据了解，晶盛机电集团实现了从6英寸、8英寸到12英寸的不断突破，并全面布局SiC芯片用的晶体生长、成型和抛光、检测、清洗、外延、离子注入等系列设备。此次开工的项目，是继浙江基地和马来西亚槟城基地之后，又一个重要落子，将形成“国际国内”的战略联动、产能协同。 据“行家说三代半”此前报道，浙江基地和马来西亚槟城基地由晶盛机电旗下子公司浙江晶瑞进行建设，主要负责衬底片加工环节，相关进展如下： ...

金融界2025年7月24日消息，国家知识产权局信息显示，武汉市新洲森兴实业发展有限公司取得一项名为“一种汽车衬板检具装置”的专利，授权公告号CN223138594U，申请日期为2024年10月。