更多精彩内容 请点击上方蓝字关注我们吧！ 随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。这是因为 NAND不再依赖光刻来图案化更小的单元。

最近，铠侠展示了BiCS 8 NAND的相关产品。铠侠与西部数据在2023年3月宣布了BiCS 8的出样，这一代NAND采用了CMOS绑定阵列（CBA）技术。 传统上，闪存芯片的制造过程将逻辑电路（CMOS工艺）布置在闪存阵列的外围，随后在阵列之下放置CMOS逻辑电路。然而，这种方法 ...

日前，Techinsights拆解了来自Asgard Memory的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，发现这款产品搭载长江存储的128层Xtacking 2.0 TLC NAND Flash。号称最先进的三星176L V-NAND和SK海力士176L 4D PUC NAND SSD尚未在商用市场上出现，在与同级别NAND Flash对比后发现，长江存储的产品已极具竞争力 ...

在SK海力士、美光退出128层3D NAND之后，长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK hynix（4D PUC）的现有128L 512Gb 3D TLC NAND产品相比，长江存储128层Nand裸片尺寸更小，这使得它的比特密度最高，其工艺在容量、位 ...

近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。 本文引用地址： 三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上 ...

随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关第十代NAND闪存技术的消息扑面而来，第十代NAND闪存的技术之争正在拉开帷幕。 铠侠与闪迪携手 注重高 ...

随着闪存峰会上美光开始宣布下一代232层3D TLC NAND开始发货，SK海力士宣布开始量产238层NAND，再加上三星和铠侠的2XX层NAND蓄势待发，存储芯片的层数在今年末之前全面进入200层已成定局。 与芯片工艺制程类似，对于NAND厂商和OEM、ODM采购商而言，NAND的层级越高 ...

利用中芯国际的40纳米工艺，内存芯片设计公司Crossbar成功实现ReRAM芯片量产，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度比NAND闪存快1000倍。 非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商Crossbar Inc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比 ...

旧金山--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation和Sandisk Corporation率先推出了先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度 ...

据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。 报道称，三星 ...