随着科技的不断进步，逻辑芯片领域已经迈入了3nm工艺的崭新阶段，而台积电、三星以及英特尔等巨头更是计划在今年进一步突破至2nm工艺。然而，在DRAM内存芯片领域，技术的演进似乎并未跟上这一迅猛的步伐。

近期，内存和固态硬盘市场迎来了一个重要的转折点。根据美光的预测，DRAM芯片价格将在二季度出现回升，而NAND价格也开始趋于稳定并逐步反弹。这意味着内存和固态硬盘的涨价似乎已成定局。如果你正在考虑购买存储设备，现在或许是最后的入手时机。

2月17日消息，据日经新闻报导，随着DRAM价格的持续下跌，三星、SK ...

在当前高速发展的科技领域，内存技术的革新一直是推动移动设备智能化的重要因素。近日，三星电子DS部门的首席技术官Song Jai-hyuk在美国旧金山举行的IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上，宣布了三星将在2028年推出一款新型LPW ...

在AI服务器的强劲需求带动下，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创1670亿美元的历史新高。然而新高过后是再攀新高，亦或是波浪式起伏，还是呈现抛物线式下滑？尤其在消费类应用市场疲软的影响下，四季度DRAM和NAND ...

报道称，2025年1月份指标性产品DDR4 ...

全球DRAM需求受到PC、智能手机等终端产品需求疲弱，以及中国买家扩大采用国产DRAM的影响，出现放缓，价格环比下跌6%。数据显示，2025年1月份，DDR4 ...

IT之家 2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。

CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。 2月24日电，CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。 盘面上，存储芯 ...

快科技2月14日消息，据媒体报道， 受到终端产品需求疲弱以及中国买家扩大采用国产DRAM的双重影响，DRAM内存价格加速下跌，创下近2年来最大跌幅。 2025年1月，指标性产品DDR4 ...

LPW 是 LPDDR Wide-IO 的简称，顾名思义其是一种类似 LPDDR 但具有更高 I/O 位宽的移动端内存产品，其在 引入更多 I/O 通道的同时降低每个通道的数据传输速率 ，以实现高带宽低功耗的目标。 此外，LPW DRAM ...

近期，科技界传来了一则引人注目的消息：三星芯片业务的高层亲自造访了美国英伟达总部，这一举动背后隐藏着一项重要的技术展示与合作洽谈。据悉，三星此行的主要目的是向英伟达展示其最新研发的1b DRAM芯片样品，该样品专为高带宽内存（HBM）设计。