stt-mram制造 在典型的STT-MRAM整合工艺中，MTJ夹在两个金属层之间所以需要两个额外掩膜。 而早期的工艺依赖为硬盘驱动器(HDD)工业设计的工具，近年来，半导体制造行业内的大型设备工具厂商一直在开发300mm晶圆生产所需的关键的沉积和蚀刻工具。

stt-mram是通过自旋电流实现信息写入的一种新型marm，属于mram的二代产品，解决了mram写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。

继 2012 年发布第一代 STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存）后，又推出了采用 GlobalFoundries 28nm 制造工艺的第二代 STT-MRAM，并封装于 DDR4，支持8-bit或者16-bit ...

专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。 MRAM是一种非 ...

STT-MRAM是指采用自旋注入磁化反转（spin transfer torque：STT）数据擦写技术的磁存储器（MRAM）。这种存储器具有非易失性、运行速度快、擦写次数无 ...

晶圆代工厂联电今天宣布，与美商Avalanche Technology合作推出22纳米自旋转移矩磁性存储器（STT-MRAM），将应用于航天等领域。联电前瞻发展办公室暨 ...

it之家注：stt-mram 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 mram 的二代产品。stt-mram 存储单元的核心仍然是 ...

stt-mram中的电流是垂直注入mtj的，sot-mram的电流注入则发生在平面内，在相邻的sot层中——典型情况是像钨(w)这样的重金属层。

sot-mram是从更成熟的自旋转移矩stt-mram演变而来的，由于具有更好的耐久性和两个二进制状态之间更快的切换速度，因此具有更好的缓存应用前景。

目前国内外已经有相应的mram产品，国外以everspin为主，已经发布了40纳米的256mb ddr3芯片和28纳米的1gb ddr4芯片。另外还有一系列的串口mram产品，主要用于传感器和嵌入式的应用。国内的海康驰拓已经有了相应的串口mram产品，1gb的这种stt-mram也已经推出了样片。

2019年，Everspin与晶圆代工厂格芯合作，试生产28nm 1Gb STT-MRAM产品；2020年3月，双方宣布已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造，扩展至12 nm ...