Gupta预测，存储市场将在2024年增长13.0%，2025年继续增长11.6%，但从2025年后，市场将再次进入下行周期。不过，AI加速器所需的高价值高带宽存储（HBM）预计将持续增长至2028年。他预计，HBM在2023年至2028年间的年均复 ...

随着智能设备对数据处理能力的需求不断提升，LPDDR5-Ultra-ProDRAM无疑将成为推动新一代设备的重要动力。根据三星的实验数据，该芯片在12,700MT/s的最高速率下，仍能在1.05伏电压下可靠运行，即使在降低至10,700MT/s速度时 ...

CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。 2月24日电，CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。 盘面上，存储芯 ...

半导体景气度持续修复，叠加AI发展如火如荼，存储芯片的景气度变化备受市场关注，其作为芯片行业的最大细分品类之一，被视作周期演绎的风向标。2月24日，科技板块进入调整之际，存储芯片表现独树一帜，万得存储器指数收涨2.3%，创下历史最高价，德明利、兆易创 ...

三星电子近日在国际固态电路会议IEEE ISSCC 2025上，通过韩媒SEDaily的现场采访，展示了其最新的HBM内存发展蓝图。全新推出的HBM4E内存，凭借两大核心技术突破，再次定义了高性能计算的未来。

三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商逐步计划在2025年下半年终止DDR3和DDR4内存的生产。这一决策是由于对HBM（高带宽内存）和DDR5等最新内存技术的需求增加，以及DDR3和DDR4内存收益性的下降所驱动的 ...

快科技2月24日消息， 据报道，在ISSCC 2025大会上，三星宣布将LPDDR5X的速率从目前的10.7Gbps提升至12.7Gbps，再次刷新了移动内存的性能纪录。

科林研发（Lam Research）宣布推出业界最先进的导体蚀刻技术“Akara”，为电浆蚀刻领域的突破性创新，也是目前最先进的导体蚀刻机台，并克服芯片制造商面临的关键微缩挑战。

2025年2月，三星电子宣布其最新旗舰机型Galaxy S25系列将搭载美光（Micron）的LPDDR5X内存和UFS ...

近日，三星在国际固态电路大会（ISSCC）上宣布了一项令人瞩目的技术突破，其LPDDR5X内存速率成功跃升至12.7Gbps，这一成就再次树立了移动内存性能的新标杆。 三星此次能够取得如此显著的进步，得益于两项创新的电路级技术：“四相自校准环路”技术和“AC耦合收发器均衡技术”。这两项技术的结合，为下一代移动设备提供了前所未有的内存支持。

公告显示，澜起科技2024年实现营业收入36.39亿元，同比增长59.20%；实现 归母净利润14.12亿元，同比增长213.10%，创历史新高 ；扣非净利润12.48亿元，同比增长237.44%。

董明珠强调，格力建设芯片工厂没有使用国家一分钱，完全依靠自身实力。格力还凭借在空调领域积累的技术优势，自主制造了整套系统的环境设备。这些设备比传统进口设备更节能，不仅为格力自身降低成本，还能为其他半导体厂提供整套环境设备解决方案。