中国企业搅局，美韩厂商不再挤牙膏，DRAM芯片要进入10nm下了
所以这三大企业没办法了，不能再挤牙膏了，近日有机构报道称，三大存储芯片厂商，计划推进新的节点工艺了，一季度就会推出D1c工艺（10nm）的DDR5产品，由SK海力士推出。
DRAM芯片升级提速！中国厂商入局，美韩巨头被迫告别挤牙膏时代
随着科技的不断进步，逻辑芯片领域已经迈入了3nm工艺的崭新阶段，而台积电、三星以及英特尔等巨头更是计划在今年进一步突破至2nm工艺。然而，在DRAM内存芯片领域，技术的演进似乎并未跟上这一迅猛的步伐。
三星2028年推出LPW DRAM：专为端侧AI优化，速度提升166%！
在近日召开的IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上，三星电子DS部门首席技术官Song Jai-hyuk宣布了一项重大技术突破：三星计划于2028年推出专为设备端AI应用设计的LPW ...
2024年全球存储销售收入规模创历史新高，4Q24 DRAM/NAND Flash市占排名出炉
在AI服务器的强劲需求带动下，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创1670亿美元的历史新高。然而新高过后是再攀新高，亦或是波浪式起伏，还是呈现抛物线式下滑？尤其在消费类应用市场疲软的影响下，四季度DRAM和NAND ...
益盟操盘手12 小时
2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下1670亿美元历史新高
CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。 2月24日电，CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。 盘面上，存储芯 ...
三星电子芯片业务部门主管上周曾前往英伟达 携带新设计1b DRAM样品
外媒在报道中提到，三星电子芯片业务部门的主管亲自向客户展示样品非常罕见，但这也凸显了他们对英伟达及HBM3E订单的重视。全永鉉亲自到英伟达总部，很可能还是为了确保来自英伟达的订单。
消息称三星芯片部门负责人携 1b DRAM 样品访问英伟达，全力争取 HBM3E ...
IT之家 2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。
腾讯网6 天
美光产业地位提升：计划投资21.7亿美元，巩固特种DRAM市场领导地位
美光科技计划投资21.7亿美元扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，以提升美国特种DRAM产能。此次扩建将主要用于生产用于工业、汽车、航空航天和国防市场的特种DRAM存储器。作为全球第三大DRAM公司和第四大NAND ...
腾讯网6 天
TechInsights：2027年底DRAM预计将迈入个位数纳米技术节点
智通财经APP获悉，TechInsights平台上最新发布了T1-2025 ...
三星芯片高管亲赴英伟达，1b DRAM样品能否赢得订单？
近期，科技界传来了一则引人注目的消息：三星芯片业务的高层亲自造访了美国英伟达总部，这一举动背后隐藏着一项重要的技术展示与合作洽谈。据悉，三星此行的主要目的是向英伟达展示其最新研发的1b DRAM芯片样品，该样品专为高带宽内存（HBM）设计。
三星2028年推出LPW DRAM，带宽飙升166%，为端侧AI铺路！
在加州旧金山举行的IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上，三星电子DS部门的首席技术官Song Jai-hyuk宣布了一项令人兴奋的计划：到2028年，三星将推出专门为设备端AI应用设计的新型LPW DRAM内存产品。LPW DRAM，即LPDDR Wide-IO内存的缩写，是一款令人期待的移动设备内存产品。
三星目标 2028 年推出 LPW DRAM：速度提升 166%，为端侧 AI 优化
IT之家 2 月 19 日消息，据韩媒 SEDaily 现场采访报道，三星电子 DS 部门首席技术官 Song Jai-hyuk 美国加州旧金山当地时间 17 日在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议全体会议上表示，首款针对设备端 AI ...