半导体景气度持续修复,叠加AI发展如火如荼,存储芯片的景气度变化备受市场关注,其作为芯片行业的最大细分品类之一,被视作周期演绎的风向标。2月24日,科技板块进入调整之际,存储芯片表现独树一帜,万得存储器指数收涨2.3%,创下历史最高价,德明利、兆易创 ...
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近日,三星在国际固态电路大会(ISSCC)上宣布了一项令人瞩目的技术突破,其LPDDR5X内存速率成功跃升至12.7Gbps,这一成就再次树立了移动内存性能的新标杆。 三星此次能够取得如此显著的进步,得益于两项创新的电路级技术:“四相自校准环路”技术和“AC耦合收发器均衡技术”。这两项技术的结合,为下一代移动设备提供了前所未有的内存支持。
Gupta预测,存储市场将在2024年增长13.0%,2025年继续增长11.6%,但从2025年后,市场将再次进入下行周期。不过,AI加速器所需的高价值高带宽存储(HBM)预计将持续增长至2028年。他预计,HBM在2023年至2028年间的年均复 ...
快科技2月24日消息, 据报道,在ISSCC 2025大会上,三星宣布将LPDDR5X的速率从目前的10.7Gbps提升至12.7Gbps,再次刷新了移动内存的性能纪录。
三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商逐步计划在2025年下半年终止DDR3和DDR4内存的生产。这一决策是由于对HBM(高带宽内存)和DDR5等最新内存技术的需求增加,以及DDR3和DDR4内存收益性的下降所驱动的 ...
2025年2月,三星电子宣布其最新旗舰机型Galaxy S25系列将搭载美光(Micron)的LPDDR5X内存和UFS ...
三星电子近日在国际固态电路会议IEEE ISSCC 2025上,通过韩媒SEDaily的现场采访,展示了其最新的HBM内存发展蓝图。全新推出的HBM4E内存,凭借两大核心技术突破,再次定义了高性能计算的未来。
17 小时on MSN
【2 月 24 日午后,香农芯创直线拉升涨超 15%】此前德明利涨停,华海诚科、北京君正、普冉股份、同有科技、江波龙等涨超 5%。消息显示,CFM 闪存市场数据最新表明,2024 年全球 DRAM 和 NAND Flash 销售收入创 1670 ...
IT之家 2 月 24 日消息,佰维 Biwin 今日宣布推出入门级 PCIe 4.0×4 固态硬盘产品 M350。这一 SSD 采用 M.2 2280 外形规格,DRAM-less HMB 方案,单面 PCB 外形设计。
CFM闪存市场数据最新显示,2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度,全球存储市场规模环比增长4.2%,达到467.55亿美元。 2月24日电,CFM闪存市场数据最新显示,2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度,全球存储市场规模环比增长4.2%,达到467.55亿美元。 盘面上,存储芯 ...
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随着科技的不断进步,逻辑芯片领域已经迈入了3nm工艺的崭新阶段,而台积电、三星以及英特尔等巨头更是计划在今年进一步突破至2nm工艺。然而,在DRAM内存芯片领域,技术的演进似乎并未跟上这一迅猛的步伐。
IT之家 2 月 19 日消息,据韩媒 SEDaily 现场采访报道,三星电子 DS 部门首席技术官 Song Jai-hyuk 美国加州旧金山当地时间 17 日在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议全体会议上表示,首款针对设备端 AI ...
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