半导体景气度持续修复，叠加AI发展如火如荼，存储芯片的景气度变化备受市场关注，其作为芯片行业的最大细分品类之一，被视作周期演绎的风向标。2月24日，科技板块进入调整之际，存储芯片表现独树一帜，万得存储器指数收涨2.3%，创下历史最高价，德明利、兆易创 ...

近日，三星在国际固态电路大会（ISSCC）上宣布了一项令人瞩目的技术突破，其LPDDR5X内存速率成功跃升至12.7Gbps，这一成就再次树立了移动内存性能的新标杆。 三星此次能够取得如此显著的进步，得益于两项创新的电路级技术：“四相自校准环路”技术和“AC耦合收发器均衡技术”。这两项技术的结合，为下一代移动设备提供了前所未有的内存支持。

Gupta预测，存储市场将在2024年增长13.0%，2025年继续增长11.6%，但从2025年后，市场将再次进入下行周期。不过，AI加速器所需的高价值高带宽存储（HBM）预计将持续增长至2028年。他预计，HBM在2023年至2028年间的年均复 ...

快科技2月24日消息， 据报道，在ISSCC 2025大会上，三星宣布将LPDDR5X的速率从目前的10.7Gbps提升至12.7Gbps，再次刷新了移动内存的性能纪录。

三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商逐步计划在2025年下半年终止DDR3和DDR4内存的生产。这一决策是由于对HBM（高带宽内存）和DDR5等最新内存技术的需求增加，以及DDR3和DDR4内存收益性的下降所驱动的 ...

2025年2月，三星电子宣布其最新旗舰机型Galaxy S25系列将搭载美光（Micron）的LPDDR5X内存和UFS ...

三星电子近日在国际固态电路会议IEEE ISSCC 2025上，通过韩媒SEDaily的现场采访，展示了其最新的HBM内存发展蓝图。全新推出的HBM4E内存，凭借两大核心技术突破，再次定义了高性能计算的未来。

根据AI大模型测算深科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力轻度控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，目前市场情绪悲观。

【2 月 24 日午后，香农芯创直线拉升涨超 15%】此前德明利涨停，华海诚科、北京君正、普冉股份、同有科技、江波龙等涨超 5%。消息显示，CFM 闪存市场数据最新表明，2024 年全球 DRAM 和 NAND Flash 销售收入创 1670 ...

随着科技的不断进步，逻辑芯片领域已经迈入了3nm工艺的崭新阶段，而台积电、三星以及英特尔等巨头更是计划在今年进一步突破至2nm工艺。然而，在DRAM内存芯片领域，技术的演进似乎并未跟上这一迅猛的步伐。

2月14日，据日经新闻报道，由于PC、智能手机等终端产品需求疲弱，加上中国买家扩大采用国产DRAM，导致全球DRAM需求放缓，今年1月DRAM价格环比下跌6%。 报道称，2025年1月份指标性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格） ...

IT之家2 月 10 日消息，韩媒 SEDaily 报道称，机构 Omdia 在本月 7 日发布的一份报告中预计，今年前三季度 PC、服务器、移动 DRAM 内存的价格将面临普遍下降：2025 上半年的价格降幅将在 10% 左右，三季度进一步下滑 5%。 值得注意的是，2024 年价格坚挺的服务器级 DRAM ...