近日，中国科技大学微电子学院的研究团队在垂直型氮化镓 (GaN)功率晶体管的研究中取得显著进展。由杨树教授和龙世兵教授主导的课题组实现了高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅金属绝缘体半导体场效应晶体管 (MISFET)。该项研究成果已在2024年IEEE国际电子器件会议 (IEDM)上进行了口头报告，标题为“Achieving 205 cm2/V·s Inversion Channel ...

近日，来自中国科技大学微电子学院的研究团队在垂直型氮化镓（GaN）功率晶体管领域取得了令人瞩目的进展。由杨树教授与龙世兵教授带领的课题组成功实现了一种具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅金属绝缘体场效应晶体管（MISFET），并在2024 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上分享了他们的研究成果，题目为《Achieving 205 cm²/V·s Inversion Channel ...

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PCBN（Polycrystalline Cubic Boron Nitride，聚晶立方氮化硼）可转位刀片是高性能切削工具的重要组成部分，特别适用于加工硬度非常高的材料，如淬硬钢、铸铁和高温合金等。

晶体管在摩尔定律 (Moore's Law) 的推动下持续提高硅基集成电路 (ICs) 性能，随着尺度微缩至10纳米技术节点以下，已接近操作组件下的物理极限。（数据源：闳康科技；文章编修：科技新报） ...

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心 杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。 相关成果2025年2月5日以“ 从原子尺度上理解氮化物半导体中的位错攀移：不对称割阶的影响 ”（Atomistic Understanding of Dislocation Climb in ...

[EN VIDÉO] 3 méthodes insolites pour stocker les données numériques Pour stocker des fichiers, de la musique ou des vidéos, la plupart d’entre nous utilisent... Des chercheurs américains s ...