专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。 MRAM是一种非 ...

晶圆代工厂联电今天宣布，与美商Avalanche Technology合作推出22纳米自旋转移矩磁性存储器（STT-MRAM），将应用于航天等领域。联电前瞻发展办公室暨 ...

东芝表示这次研发揭示了以stt-mram代替sram的可能性，同时兼具更加省电的特性，今后将继续改良此技术促其尽早商用化。 本技术近日在美国旧金山举行的国际电子组件会议（IEDM）发表3篇相关技术论文。

STT-MRAM是指采用自旋注入磁化反转（spin transfer torque：STT）数据擦写技术的磁存储器（MRAM）。这种存储器具有非易失性、运行速度快、擦写次数无 ...

it之家注：stt-mram 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 mram 的二代产品。stt-mram 存储单元的核心仍然是 ...

据悉，瑞萨的mram基于自主研发，类别上属于stt-mram（自旋注入式mram）。 2022年6月，瑞萨推出stt-mram的22纳米制造工艺技术；isscc 2024上，瑞萨宣布已 ...

MRAM是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下 ...

stt-mram中的电流是垂直注入mtj的，sot-mram的电流注入则发生在平面内，在相邻的sot层中——典型情况是像钨(w)这样的重金属层。

2019年，Everspin与晶圆代工厂格芯合作，试生产28nm 1Gb STT-MRAM产品；2020年3月，双方宣布已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造，扩展至12 nm ...

群联电子技术长马中迅也表示，整合 Everspin 的 1Gb STT-MRAM 至群联的闪存主控芯片设计及 SSD 储存方案，将能协助群联的超大型数据中心客户及企业 OEM ...

因此 SOT作为弥补STT-MRAM缺点的技术逐渐发展起来。 Antaios SA(法国格勒诺布尔)，一家2017年成立的致力于自旋轨道矩(SOT)MRAM的初创公司获得了1100万美元的资金。这家自旋轨道矩(SOT)MRAM初创公司的资金由法国风险投资公司Innovacom和Sofimac Innovation，以及Applied Ventures LLC ...

sot-mram是从更成熟的自旋转移矩stt-mram演变而来的，由于具有更好的耐久性和两个二进制状态之间更快的切换速度，因此具有更好的缓存应用前景。