2024年9月，上海微电子一项编号CN202310226636.7的专利引爆全球半导体圈。这项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的技术，首次在EUV光刻机核心子系统取得实质性突破。 通过电场约束+氢自由基反应技术，带电粒子污染减少率超90%，镜面寿命提升至1000小时，直接击穿西方对于我国在EUV光刻机领域发展的“技术蔑视”。