stt-mram制造 在典型的STT-MRAM整合工艺中，MTJ夹在两个金属层之间所以需要两个额外掩膜。 而早期的工艺依赖为硬盘驱动器(HDD)工业设计的工具，近年来，半导体制造行业内的大型设备工具厂商一直在开发300mm晶圆生产所需的关键的沉积和蚀刻工具。

stt-mram是通过自旋电流实现信息写入的一种新型marm，属于mram的二代产品，解决了mram写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。

专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。 MRAM是一种非 ...

继 2012 年发布第一代 STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存）后，又推出了采用 GlobalFoundries 28nm 制造工艺的第二代 STT-MRAM，并封装于 DDR4，支持8-bit或者16-bit ...

STT-MRAM是指采用自旋注入磁化反转（spin transfer torque：STT）数据擦写技术的磁存储器（MRAM）。这种存储器具有非易失性、运行速度快、擦写次数无 ...

晶圆代工厂联电今天宣布，与美商Avalanche Technology合作推出22纳米自旋转移矩磁性存储器（STT-MRAM），将应用于航天等领域。联电前瞻发展办公室暨 ...

it之家注：stt-mram 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 mram 的二代产品。stt-mram 存储单元的核心仍然是 ...

stt-mram则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，只是容量密度提升困难，所以想取代内存 ...

sot-mram是从更成熟的自旋转移矩stt-mram演变而来的，由于具有更好的耐久性和两个二进制状态之间更快的切换速度，因此具有更好的缓存应用前景。

stt-mram藉着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流，表现效能和价格竞争力都优于dram。最重要的是，dram很难微缩至10 纳米以下，stt-mram则没有此一困扰。业界人士表示，stt-mram是次世代内存中最实际的替代方案，95%的现行dram产设备皆可用于制stt-mram。

全球MRAM持久性内存解决方案开发商&制造商Everspin Technologies宣布与中国芯片设计公司华澜微电子（Sage Microelectronics Corporation）建立合作关系。华澜微电子新型企业级闪存控制器将为Everspin的1 Gb STT-MRAM内存提供原生支持。