与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： ...

图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较 什么是碳化硅Cascode JFET技术？ 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） 和 绝缘栅双极晶体管（IGBT ...

图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较 什么是碳化硅Cascode JFET技术？ 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT ...

"宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。 香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, ...

Abstract: This paper presents a dual feedback transimpedance amplifier (TIA) with a modified regulated-cascode (RGC) topology that employs a negative resistance-capacitance (NRC) network to enhance ...

The LNA features a current-reuse high-Q gate inductor and cascode inverter-based input stage with shunt-resistive feedback, optimizing wideband input impedance. A cryogenic aware self-body bias (SBB) ...

朱廷刚：总体来看，GaN功率半导体市场还是呈增长趋势的，但如大家所见，这几年大环境消费端需求疲软，造成需求的增速放缓。这个现象不止影响到Power GaN，对整个功率半导体市场的影响也是一样的。

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